许仕龙
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朱满康
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黄安平
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王波
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严辉
无机材料学报
采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜,衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性。同时,C—V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能.
关键词:
Ta2O5
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dielectric films
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crystallization temperature
,
bias
