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衬底负偏压对溅射Ta₂O₅薄膜晶化温度及介电性能的影响

许仕龙 , 朱满康 , 黄安平 , 王波 , 严辉

无机材料学报

采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta₂O₅薄膜,衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta₂O₅

关键词: Ta₂O₅ , dielectric films , crystallization temperature , bias