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  • 论文(5)

直流反应磁控溅射沉积CuInS2薄膜的结构与电学性质

颜畅 , 刘芳洋 , 赖延清 , 李轶 , 李劼 , 刘业翔

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01287

采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基底上制备了太阳电池用CuInS2薄膜. 以X射线能量色散谱仪、扫描电镜、X射线衍射仪、冷热探针和霍尔效应测试系统对薄膜进行了表征. 结果表明, 薄膜成分可通过调整Cu靶和In靶的功率比PCu/PIn来进行调控; 而薄膜形貌则取决于靶功率比和薄膜的...

关键词: 反应磁控溅射 , CuInS2 , solar cell , electrical property , thin film

退火对立方相 MgxZn1-xO薄膜的结构和光学性质影响

陈乃波 , 吴惠桢 , 徐天宁 , 余萍

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00993

在蓝宝石(0001)衬底上低温生长立方相MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜, 用X射线衍射(XRD)和透射光谱分析高温退火对薄膜的结构和光学性质的影响. 结果表明: 对Mg0.53...

关键词: 立方相MgxZn1-xO薄膜 , anneal , crystal structure , optical property , electrical property

退火处理对长波长InAsSb材料电学性能的影响

高玉竹 , 周冉 , 龚秀英 , 杜传兴

材料热处理学报

研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后,傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化.用熔体外延(ME)技术,在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层,外延层的厚度达到100 pm.在350℃下,在氢气氛中对样品进行了11h的...

关键词: InAsSb , 退火处理 , 元素分布 , 电学性质

CuO/BaCo0.02ⅡCo0.04ⅢBi0.94O3共掺Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3热敏厚膜的微结构及电学性能研究

袁昌来 , 刘心宇 , 陈国华 , 杨云 , 骆颖 , 周秀娟

人工晶体学报

采用丝网印刷工艺制备了CuO/BaCo0.02ⅡCo0.04ⅢBi0.94O3共掺Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3热敏厚膜,并借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜及交流阻抗谱对厚膜的物相、形貌和电学性能进行表征分析.CuO的存在使得厚膜中的BaCo0.02ⅡCo0.94ⅢBi0.94O3出现...

关键词: 热敏厚膜 , 微结构 , 电学性能

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