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基于单根InAs纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能研究

郑定山 , 邹旭明 , 蒋涛

人工晶体学报

利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性.对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和讨论.结果表明,InAs纳米线器件阈值电压约为-6.0 V,亚阈值斜率为180.86 mV/decade,跨导值达0.85 μS,最大开关比达108,场效应迁移率高达436.3 cm2/(V·s),载流子浓度达6.6×1017 cm-3.

关键词: InAs纳米线 , 场效应晶体管 , 阈值电压 , 迁移率

InP纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能的研究

蒋涛 , 郑定山

人工晶体学报

利用化学气相沉积法在Si/SiO2衬底上生长出了InP纳米线,制备了基于InP纳米线的底栅场效应晶体管并研究了其电输运特性.对不同生长温度器件的阈值电压、亚阈值斜率、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和比较.结果表明,生长温度对InP纳米线的形貌影响较大.800℃生长温度的InP纳米线性能较好,该器件阈值电压约为-8.5V,亚阈值斜率为142.4 mV/decade,跨导为258.6 nS,开关比>106,场效应迁移率高达177.8cm2/(V·s),载流子浓度达2.1×101s cm-3.

关键词: 化学气相沉积 , InP纳米线 , 场效应晶体管 , 迁移率 , 阈值电压

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