范修军
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王越
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徐宏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01266
报道了A:Al2O3(A=Cr, Fe, Ni)晶体光学浮区法生长工艺, 研究了旋转速率、生长速率对晶体质量的影响, 制备出了直径6~8 mm、长度为60~80 mm的A:Al2O3晶体. A:Al2O3晶体的生长方向为<001>方向, X射线双晶摇摆曲线表明A:Al2O3晶体具有良好的晶体质量. 通过X射线衍射、扫描电镜、偏光显微镜对晶体中的生长缺陷进行了研究, 结果表明, A:Al2O3晶体的主要缺陷为小角度晶界、包裹体和溶质尾迹. 研究了A:Al2O3晶体的光谱性能, 并对A:Al2O3晶体的介电性能进行了测量, 室温下1000 kHz时A:Al2O3晶体表现出较高的介电系数er(12.1~15.7)和较小的介电损耗tand(0.0020~0.0002).
关键词:
A:Al2O3
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single crystal growth
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floating zone technique
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crystal defects
