刘勃
,
王发展
,
张顾钟
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赵超
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原思聪
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00998
采用热蒸发纯Zn粉和Cd粉, 在湿反应气氛中氧化制备得到掺Cd的ZnO纳米管, 其Cd含量为3.3at%. 场发射扫描电镜(FESEM)及高分辨透射电镜(HRTEM)分析表明, 大部分纳米管外径约80~150nm, 长度达数微米, 壁厚约20nm. 通过与相同条件下制备的ZnO纳米结构的室温光致发光谱(PL) 进行对比发现, 由于Cd的掺入, Zn1-xCdxO纳米管的紫外近带边峰(UV NBE)从3.26eV红移到3.20eV附近.分析认为，Zn1-xCdxO纳米管遵循气液固(VLS)生长机制, 并在此基础上提出Zn1-xCdxO纳米管生长过程, 同时指出Kirkendall效应可能对纳米管的形成起到了重要作用.
关键词:
Zn1-xCdxO
,
nanotube
,
fabrication
,
growth process
周晓平
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马琳
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冯宗财
,
谢木标
人工晶体学报
采用恒电流电解法,以0.1 mol/L NH4NO3、0.01 mol/L Zn(CH3COO)2水溶液为电解液,成功将ZnO电沉积于ITO导电玻璃的表面.利用扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO晶核在ITO导电玻璃表面上的生长过程,对其生长取向、排列方式及微观形貌等方面发生的一系列变化的规律进行了研究和讨论.利用X射线衍射分析(XRD)研究了电沉积时间对ZnO结晶性的影响.结果表明:ZnO在ITO导电玻璃上的电沉积过程,经历了晶核生成、增长成片、片状组合、定向排列、团聚成花、团聚成块等连续过程;随着沉积时间的增长,沉积厚度增加,使得ZnO晶体的结晶性变差.
关键词:
恒电流电解法
,
氧化锌
,
电沉积
,
ITO导电玻璃
,
生长过程
