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纳米SiC及Si₃N₄/SiC的高温等静压研究

董绍明 , 江东亮 , 谭寿洪 , 郭景坤

无机材料学报

采用高温等静压（HIP）工艺，制备了纳米结构的单相SiC及Si₃N₄／SiC复相陶瓷，并通过X射线衍射分析、透射及高分辨电镜对其相组成及结构进行了表征．实验表明，在温度1850℃、压力200MPa条件下保温lh，可获得晶粒尺寸＜100nm、结构均匀、致密的单相SiC纳米结构陶瓷．对于Si₃N₄／SiC复相体系，初始粉末的结晶形态对烧结体的结构有很大的影响.将初始粉末进行预处理后：在温度1750℃、压力150MPa条件下保温1h，可获得晶粒尺寸在50nm左右、结构致密、均匀的复相Si₃N₄／SiC纳米陶瓷材料．

关键词: 纳米陶瓷 , monolithic SiC , Si_3N_4/ SiC composite , hot isostatic pressing （HIP）