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制备工艺对热压烧结SiC/SiC复合材料结构与性能的影响

董绍明 , 丁玉生 , 江东亮 , 香山晃

无机材料学报

采用纳米SiC和亚微米SiC粉料作为基体形成原料,通过热压烧结技术制备了SiC/SiC 复合材料.研究了粉料颗粒、烧结温度、烧结压力对复合材料显微结构和各种性能的影响.结果显示,采用纳米碳化硅粉体可有效降低烧结温度,促进复合材料的致密化过程,在1780℃、20MPa条件下可获得性能优良的复合材料.而采用亚微米SiC粉体,复合材料的致密化过程需要较高的温度,但随着密度的增加,基体与纤维之间的作用力增强,不利于性能的提高.

关键词: SiC/SiC复合材料 , hot pressing , nano-SiC , sub-micrometer SiC

Ni和Ti的添加对Al2O3-Ti(C,N)复合材料性能的影响

李乾 , 孙旭东 , 修稚萌

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00955

研究了Ni和Ti的添加对真空热压烧结方法制备的Al2O3-Ti(C,N)陶瓷基复合材料的显微组织和力学性能的影响. 发现添加Ni和Ti的复合材料主要由Al2O3、Ti(C,N)和Ni组成, 没有发现存在金属Ti. Ti由于非常活泼, 在热压烧结过程中可能与石墨模具产生的含C气氛反应生成TiC, 或与高温下Ti(C,N)的少量分解产生的N2气氛反应生成TiN, 这有利于减少复合材料中的气孔. 适量添加Ni可通过液相烧结促进复合材料的致密化, 提高复合材料的相对密度, 并能通过产生裂纹偏转和裂纹桥联提高复合材料的断裂韧性. 热压温度为1550℃、等摩尔比的Ni和Ti混合粉末添加量为5vol%时, Al2O3-Ti(C,N)-Ni-Ti复合材料的相对密度为99.6%, 硬度为21GPa, 抗弯强度为818MPa, 断裂韧性为8.1 MPa·m1/2.

关键词: 陶瓷基复合材料 , Al2O3-Ti(C, N) , Ni , Ti , hot pressing , mechanical property

由SiO2/3Y-TZP包裹复合粉体制备ZrSiO4/3Y-TZP细晶陶瓷

王士维 , 荣天君 , 黄校先 , 郭景坤

无机材料学报

对湿化学法制备的SiO/3Y-TZP包裹复合粉体进行了热压烧结研究,并利用X射线衍射和透射电镜表征了烧结体的物相和显微结构.在低于1300℃,复合粉体发生瞬时粘性烧结,材料密度迅速提高;随着烧结温度的升高,SIO和ZrO发生反应生成ZrSiO.在1500℃热压条件下,制备了平均晶粒尺寸为350nm的ZrSiO/3Y-TZP细晶复相材料.我们认为,在烧结过程中形成的第二相ZrSiO,特别是SiO包裹层对抑制基体晶粒长大起主要作用.

关键词: 包裹粉 , hot pressing , ZrSiO4/3Y-TZP

冷压烧结Fe基金刚石超薄切锯胎体的组织和性能

董洪峰 , 李文生 , 路阳 , 张杰

材料科学与工艺

为了降低金属基金刚石超薄切锯的厚度、提高强度,采用冷压烧结法,以Fe基混合粉末为原材料,通过改变冷压力,制备平均厚度为0.21 mm的Fe基金刚石超薄切锯胎体;用显微硬度仪、OM、SEM、XRD和万能力学试验机等表征松装粉末和压坯显微硬度、压坯组织、烧结胎体组织和力学性能,研究冷压坯致密化机理以及冷压力对烧结胎体组织和力学性能影响.结果表明:压力<205 MPa时Cu、Fe粉均发生了显著的加工硬化现象,Cu粉变形速率较Fe粉快,使Cu、Fe粉聚集、冷焊,阻碍致密化;压力>205 MPa时Cu、Fe粉发生大量塑性变形,组织致密,密度增大;烧结胎体以(Fe,Ni)、Fe1.3Sn、Cu40.5 Sn11、Cu81 Sn22和Fe为主相;拉伸断口形貌主要包括塑坑断口、解理和沿颗粒脆性断口,168 MPa烧结胎体力学性能最优.

关键词: 单轴模压法 , 热压烧结 , 金刚石复合材料超薄切锯 , Fe基胎体 , 组织 , 力学性能

Ga、K双掺杂P型Bi0.5Sb1.5Te3材料的制备及热电性能

段兴凯 , 胡孔刚 , 丁时锋 , 满达虎 , 张汪年 , 马明亮

稀有金属

采用真空熔炼和热压方法制备了Ga和K双掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电材料.XRD结果表明,Ga0.02Bi0.5Sb1.48-xKxTe3块体材料的XRD图谱与Bi0.5Sb1.5Te3的XRD图谱对应一致,但双掺杂样品的衍射峰略微向左偏移.热压块体材料中存在明显的(001)晶面择优取向.SEM形貌表明材料组织致密且有层状结构特征.Ga和K双掺杂可使Bi0.5Sb1.5Te3在室温附近的Seebeck系数有一定的提高,而双掺杂样品的电导率均得到了不同程度的提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品的电导率得到较明显的改善.在300~500 K测量温度范围内,所有双掺杂样品的热导率高于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率,在300 K附近双掺杂样品的ZT值得到提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品在300 K时ZT值达到1.5.

关键词: 双掺杂 , 真空熔炼 , 热压 , 显微结构 , 热电性能

Ga、K双掺杂对N型Bi2Te2.7Se0.3材料热电性能的影响

段兴凯 , 胡孔刚 , 丁时锋 , 满达虎 , 林伟明 , 金海霞

稀有金属材料与工程

采用真空熔炼及热压方法制备了Ga和K双掺杂N型Bi2Te2.7Se0.3热电材料.XRD分析结果表明,Ga和K已经完全固溶到Bi2Te2.7Se0.3晶体结构中,形成了单相固溶体合金.SEM分析表明,材料组织致密且有层状结构特征.通过Ga和K部分替代Bi,在300~500 K的大部分温度范围内,Ga和K双掺杂对提高Bi2Te2.7Se0.3的Seebeck系数产生了积极的作用,同时双掺杂样品的电导率也得到明显的提高.Ga和K双掺杂样品的热导率都大于未掺杂的Bi2T2.7Se0.3,Ga0.02Bi1.94K0.04Te2.7 Se0.3合金在500 K获得ZT最大值为1.05.

关键词: 双掺杂 , 热压 , 显微结构 , 热电性能

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