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原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能

夏咏锋 , 曾宇平 , 江东亮

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00705

以氮化硅(Si3N4)和氧化铝(Al2O3)为起始原料, 利用原位反应结合技术制备Si3N4多孔陶瓷. 研究烧结温度和保温时间对Si3N...

关键词: Si3N4多孔陶瓷 , dielectric properties , in situ reaction bonding , porosity

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