刘翠霞
,
杨延清
,
黄斌
,
张荣军
,
罗贤
,
任晓霞
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00933
在化学气相沉积SiC膜过程中, 分别考虑了化学反应的动力学以及基底表面原子的沉积与扩散, 利用动力学蒙特卡罗方法, 建立了SiC膜{111}取向的三维原子尺度模型, 使用MATLAB模拟了原子尺度的SiC膜{111}取向生长过程. 模拟结果表明: 膜的生长经历了小岛的生成、小岛的合并与扩展、小岛间达到动态平衡三个阶段. 随着温度的升高, 膜的生长速率、表面粗糙度以及膜的厚度都增大. 随着生长速率的增大, 表面粗糙度增大, 相对密度减小. 模拟结果与理论和实验具有较好的吻合性.
关键词:
化学气相沉积
,
chemical vapor deposition
,
kinetic monte carlo simulation
,
surface roughness
,
relative density
