孔令丽
,
钟顺和
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01203
采用表面改性法制备了SiO 2负载的复合半导体材料NiO-V2O5-SiO2. 用BET、TPR、XRD、Raman、TEM、IR和UV-Vis DRS技术对固体材料的结构和光吸收性能进行了表征. 结果表明V2O 5在载体表面以微晶形式存在, 粒径约为10nm, NiO和V2O 5复合后部分形成了Ni 2+ --O--V 5+键联, 而且NiO和V2O 5在固体材料表面有相互修饰作用. NiO的加入有助于提高V2O 5在载体SiO 2表面的分散程度, 抑制V2O 5的聚合, 减小微晶尺寸, 而且可以增强固体材料的光吸收性能, 提高复合半导体对光能的利用率.
关键词:
复合半导体
,
vanadium oxide
,
nickel oxide
,
light adsorption ability
