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Bi-Mo复合掺杂对MgCuZn铁氧体烧结特性和磁性能的影响

邓联文 , 冯则坤 , 黄小忠 , 周克省 , 杨兵初

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00669

为改善MgCuZn铁氧体的低温烧结特性并提高其软磁性能, 采用传统氧化物法制备MgCuZn铁氧体材料, 研究了Bi-Mo复合掺杂对其烧结特性和软磁性能的影响. 结果表明: 复合掺杂Bi₂ O₃和MoO₃适量时(分别为0.6wt％和0.1wt％), 在较低的烧结温度(1020℃)就能获得较高的烧结密度(<4.75g/cm³), 起始磁导率可达1240, 且具有较高的品质因数(100kHz下为33.8). 通过主成分优选、有效的掺杂技术及工艺条件可以提高MgCuZn铁氧体的综合性能, 使其可应用于多层片式电感中.

关键词: MgCuZn铁氧体 , Bi-Mo co-oping , low sintering temperature , initial permeability

MnO₂对BiFeO₃掺杂PZT-PFW-PMN陶瓷的电性能与温度特性研究

晁小练 , 杨祖培 , 安伟伟

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01242

采用传统工艺制备了PbZrO₃-PbTiO₃-Pb(Fe_2/3W_1/3)O₃-Pb(Mn_1/3Nb_2/3)O₃-BiFeO₃(简称PZT-PFW-PMN-BF)四元系压电陶瓷. 研究了MnO₂掺杂对PZT-PFW-PMN-BF陶瓷的显微结构、烧结温度、电性能与温度稳定性的影响. 结果表明, 当MnO₂的掺杂量为0.10 wt%时, 陶瓷的烧结温度从1020℃降到了950℃, 并得到了较好的综合性能和温度特性, 分别为d₃₃=394 pC/N, K_p =0.54, Q_m=1180、ε_r=1480, △f_r/f_r25℃=1.68 %和△K_p/K_p25℃=-1.06 %.

关键词: 压电陶瓷 , low sintering temperature , electrical properties

固相法制备低温烧结B₂O₃-P₂O₅-SiO₂系低介陶瓷材料

李勃 , 岳振星 , 周济 , 桂治轮 , 李龙土

无机材料学报

采用传统的电子陶瓷生产工艺，制备出一种Ｂ_２Ｏ_３－Ｐ_２Ｏ_５－ＳｉＯ_２系瓷料．该体系材料加入少量助烧剂可在９００℃，空气气氛中烧结，获得低介电常数陶瓷．得到烧结体的介电常数ε≤５、介电损耗ｔａｎδ≤３×１０^－３（１ＭＨｚ）；有望用于超高频叠层片式电感领域．

关键词: 低介电常数 , low sintering temperature , multi-layer chip inductors

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