陆裕东
,
王歆
,
庄志强
,
刘保岭
,
刘勇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00811
采用高温平衡电导法测定了高温平衡电导率随氧分压(10-12~105Pa)的变化曲线, 由此确定了未掺杂和Al受主掺杂BaPbO3陶瓷多晶体中的主导缺陷及其电荷补偿缺陷. 同时讨论了受主掺杂浓度对材料的高温平衡电导率、高氧分压和低氧分压下主导缺陷转变点的影响, 确定了受主掺杂BaPbO3缺陷行为随掺杂量的变化机理. 在高氧分压下, 材料表现出本征缺陷行为, Pb离子空位占主导, 电荷补偿缺陷为空穴; 随着氧分压的下降, 材料由本征缺陷控制区域进入非本征缺陷控制区域, 受主杂质取代Pb离子空位占主导; 在低氧分压区域, 随着氧离子空位浓度的上升, 氧离子空位取代空穴, 成为受主杂质的电荷补偿缺陷.
关键词:
BaPbO3
,
defect chemistry
,
nonstoichiometry
,
acceptor
