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非晶硅锗薄膜与太阳能电池研究

刘石勇 , 李旺 , 牛新伟 , 杨德仁 , 王仕鹏 , 黄海燕 , 陆川

人工晶体学报

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在1.1 m×1.3m的大面积玻璃衬底上制备非晶硅锗(a-SiGe)薄膜和太阳能电池.系统研究了锗烷流量比(RGe)、氢气流量比(RH)、沉积功率和压强对a-SiGe薄膜光学带隙以及沉积速率的影响;分析了具有不同RGe的本征层对a-SiGe单结电池的影响;通过调节沉积参数制备出具有合适本征层带隙的高质量a-SiGe单结电池,实现在800 nm波长处的量子效率达到18.9%,同时填充因子(FF)也达到0.62.

关键词: 非晶硅锗 , 光学带隙 , 太阳能电池

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