谭小平
,
梁叔全
,
张勇
,
唐艳
,
钟杰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01233
借助DSC、XRD、SEM和TEM等技术探讨了Si-Al-Zr-O(SAZ)系非晶的原位受控晶化过程. 结果表明, SAZ系非晶在900℃左右存在分相, 形成富Si区和富Zr、Al区. 在920~950℃间, 开始成核析出初晶相四方氧化锆, 并从富Al区形成Al-Si尖晶石相. 当温度升高至1000...
关键词:
SAZ系非晶
,
phase development
,
microstructure change
