高国棉
,
陈长乐
,
邓小龙
,
韩立安
,
王永仓
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01011
用脉冲激光沉积(PLD)法制备了钙钛矿锰氧化物La 0.9 Ce 0.1 MnO3 (LCEMO)单晶薄膜.X射线衍射分析表明, 薄膜具有钙钛矿赝立方结构, 且沿(100)方向择优生长; 电阻-温度关系给出其存在金属-绝缘体相变和庞磁电阻(CMR)效应, 相变温度(T MI)为213K; 在0.1T的磁场下, 其磁电阻峰值为38.5%, 对应的温度为153K; 其电阻在低温区满足R=R0+R1T2+R2T 4.5, 在高温区符合小极化子输运.薄膜在绿激光(532nm, 40mW)作用下T MI向低温方向移动; 这主要是由于激光激励下体系的自旋发生了变化.且电阻与时间的变化曲线满足关系: R(t)=R 0+Aexp(-t/τ), 说明薄膜在激光作用下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.
关键词:
LCEMO薄膜
,
photo-induced
,
transport properties
,
electron-doped