方泽波
,
谭永胜
,
朱燕艳
,
陈圣
,
蒋最敏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00357
采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长. 俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比. X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明, 不但原位沉积的薄膜是非晶结构, 而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性. 原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌. 退火后, Er2O3薄膜获得了平整的表面. 电容-电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6, EOT为1.4nm, 在1MV/cm时漏电流密度为8×10-4A/cm2. 这些特征表明非晶Er2O3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.
关键词:
高k栅介质
,
Er2O3
,
reactive evaporation
