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SiC半导体材料产业发展现状

杨东杰 , 李丽丽

材料开发与应用

本文介绍了SiC半导体材料的性能优势,应用前景和制备方法,重点对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,分析了SiC单晶材料国内外产业发展现状及发展瓶颈,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望.

关键词: SiC , 半导体 , 器件 , 物理气相传输法