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刘学建 , 金承钰 , 张俊计 , 黄智勇 , 黄莉萍
无机材料学报
以三氯硅烷(TCS)和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅薄膜(SiNx)的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作总压力、反应温度、气体原料组成等工艺因素对SiNx
关键词: LPCVD , silicon nitride thin films , growth rate , surface morphology
