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热屏位置影响直拉单晶硅熔体和固液界面的模拟

关小军 , 张向宇 , 潘忠奔 , 王进 , 曾庆凯

人工晶体学报

为了研究热屏位置对于直拉单晶硅的熔体和固液界面的影响,采用CGSim有限元软件对φ200 mm直拉单晶硅生长过程进行了模拟,结果表明,随着热屏底端位置上升(或径向内移),熔体自由表面及其邻近区域的温度下降;随着热屏底端位置径向内移,位于两个大涡胞之间的较小涡胞强度增大且移向熔体液面深处;热屏位置上升或径向外移均会使固液界面上凸程度增大,这主要归因于晶体热场的相应变化.

关键词: 直拉单晶硅 , 有限元 , 热屏位置 , 流场 , 温场 , 固液界面

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