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Ti(0001)表面低能沉积Ti原子的分子动力学模拟

黄河颜超赖新春刘天伟张庆瑜

金属学报

采用嵌入原子势, 运用分子动力学 (MD) 研究了Ti(0001) 表面低能沉积不同能量Ti原子时表面吸附、溅射和空位的变化. 低能Ti原子沉积Ti(0001) 表面过程
中, 存在一个溅射能量阈值, 其值大约为40---50 eV. 入射原子能量低于溅射阈值时, 入射原子可以认为是沉积原子...

关键词: 分子动力学 (MD) , embedded atom method (EAM) , sputtering , adsorption , vacancy

沉积温度对温度梯度法制备氮化硼薄膜结构和硬度的影响

王明娥 , 巩水利 , 马国佳 , 刘星 , 张林 , 王达望 , 陆文琪 , 董闯

稀有金属材料与工程

采用温度梯度法,通过MW-ECR射频磁控溅射在硅片基底上制备了六方和立方混合的氮化硼薄膜.研究了薄膜的键结构,化学成分和力学性能.结果显示,对于氮化硼立方相的出现存在温度阈值,薄膜的硬度随沉积温度提高而提高.相对于传统薄膜制备方法,温度梯度方法具有更高的效率.

关键词: 氮化硼薄膜 , 溅射 , 温度梯度法 , 硬度

退火温度对铜铟镓硒薄膜电学性能的影响

欧阳良琦 , 赵明 , 庄大明 , 孙汝军 , 郭力 , 李晓龙 , 曹明杰

材料研究学报

使用磁控溅射铜铟镓硒(CuIn1-x GaxSe2,CIGS)四元陶瓷靶材制备沉积态预制膜,在240-550℃对预制膜进行退火处理,着重研究了退火温度对薄膜电学性能(载流子浓度及迁移率)的影响.结果表明:退火温度低于270℃时薄膜中存在CuSe低电阻相,CIGS薄膜的载流子浓度在1017-1019c...

关键词: 无机非金属材料 , 太阳电池 , 铜铟镓硒 , 溅射 , 电学性能

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