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GaN薄膜大型V形表面坑的形成和光学性质

高志远段焕淘郝跃李培咸张金凤

材料研究学报

研究了用MOCVD设备在高温和低V/III条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型V形表面坑, 并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理.由衬底扩散上出来的Al原子对大型坑的形成具有辅助作用,并阻止了深能级杂质或空位缀饰与坑相连的位错. GaN内的位错是非辐射复合中心,但对深能级发光不起作用.

关键词: 无机非金属材料 , semiconductor materail , defects , material characterization , surface pit