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合成工艺对BiNbO₄微波介质陶瓷的影响

姚尧 , 赵梅瑜 , 吴文骏 , 王依琳

无机材料学报

本文研究了BiNbO₄粉料合成温度及烧结助剂CuO-V₂O₅添加程序对BiNbO4陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响．结果表明：合成温度为850℃／2h及合成后加入烧结助剂CuO-V₂O₅的BiNbO₄陶瓷有高的密度值、较为均匀的晶粒尺寸及良好的介电性能：在100MHz，ε_r＝49～52，在3GHz，ε_r＝44，Q＝2000～2300，τ_r＝38ppm（-40～25℃）；τ_r＝±6ppm（25～85℃）．

关键词: BiNbO₄ , synthesizing process , microwave dielectric properties