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CVDZnS热等静压(HIP)前后光学性能和显微结构的研究

宋睿丰 , 余怀之 , 霍承松

无机材料学报

采用红外、紫外光谱仪对热等静压(HIP)处理前后CVDZnS的光学透过率进行了测量,采用分析电子显微镜、金相显微镜和X射线衍射对原生CVDZnS和经热等静压(HIP)处理的CVDZnS的显微组织和晶体结构进行了分析.根据热等静压(HIP)处理前后CVDZnS光学透过率和材料内部显微结构的不同分析了热等静压过程造成CVDZnS光学性能提高的原因.研究表明:热等静压过程使得CVDZnS的晶粒尺寸有了很大提高,并且消除了原生CVDZnS在生长过程中形成的晶体缺陷,从而减小了原生CVDZnS中由于晶格缺陷和晶粒边界造成的散射损失,使得CVDZnS的光学透过率,尤其是在可见光及近红外波段,有了较大的提高.

关键词: CVDZnS , heat isostatic process(HIP) , transmittance , X-ray diffraction

二氧化锡薄膜的电阻气敏和光透射率气敏性能

林殷茵 , 汤庭鳌 , 黄维宁 , 姜国宝 , 姚熹

无机材料学报

以无机盐为原料,采用新颖的溶胶-凝胶工艺制备了具有优良电阻-气敏性能的纳米晶二氧化锡薄膜,其在最佳工作温度 200℃对 600ppm CO的灵敏度可达 500,响应时间和恢复时间分别为13s和 20s.进一步研究了薄膜的光透射率-气敏性能,发现当通 CO时,透射率下降,最佳工作温度与电阻-气敏性能一致,当提高薄膜的退火温度时,电阻-气敏和光透射率-气敏的灵敏度均下降.分析了产生这些现象的原因.

关键词: 薄膜 , SnO2 , gas sensitive , transmittance , sol-gel method

脉冲激光沉积ZrW2O8薄膜的制备和性能

刘红飞 , 张志萍 , 张伟 , 陈小兵 , 程晓农

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00540

采用脉冲激光沉积法在石英基片上沉积制备了ZrW2O8薄膜. 用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究了不同衬底温度对薄膜结构组分、表面粗糙度和形貌的影响, 用台阶仪和分光光度计测量薄膜的厚度和不同衬底温度下制备薄膜的透射曲线, 用变温XRD分析了ZrW2O8薄膜的负热膨胀特性. 实验结果表明: 在衬底温度为室温、550℃和650℃下脉冲激光沉积的ZrW2O8薄膜均为非晶态, 非晶膜在1200℃保温3min后淬火得到立方相ZrW2O8薄膜; 随着衬底温度的升高, ZrW2O8薄膜的表面粗糙度明显降低; 透光率均约为80%, 在20~600℃温度区间内, 脉冲激光沉积制备的ZrW2O8薄膜的负热膨胀系数为-11.378×10-6 K-1.

关键词: 钨酸锆 , thin film , pulsed laser deposition , negative thermal expansion , transmittance

热处理温度对Na2O-K2O-ZnO-SiO2微晶玻璃析晶行为和性能的影响

方楠 , 张跃

人工晶体学报

以P2O5为形核剂制备了Na2O-K2O-ZnO-SiO2 (NKZS)透明微晶玻璃,研究了热处理温度对NKZS微晶玻璃的析晶行为、可见-近红外透过率和抗弯强度的影响.结果表明,在NKZS玻璃中,表面析晶和体积析晶同时存在.热处理温度低于750℃时,NKZS微晶玻璃表面析晶较显著,抗弯强度随热处理温度的升高而明显增强,可见-近红外透过率随热处理温度变化较小;温度高于750 ℃时,主要为体积析晶,其力学性能和可见-近红外透过率随热处理温度升高急剧降低.

关键词: Na2O-K2O-ZnO-SiO2微晶玻璃 , 热处理温度 , 析晶 , 抗弯强度 , 透过率

厚度对Mg-Sn共掺ZnO薄膜结构和光电性能的影响

刘细妹 , 胡跃辉 , 陈义川 , 胡克艳 , 徐斌 , 张志明

人工晶体学报

采用溶胶凝胶(Sol-Gel)旋涂法在抛光石英衬底上制备不同厚度Mg-Sn共掺的ZnO薄膜.用XRD、SEM、UV-Vis、PL、FT-IR光谱仪和四探针等对薄膜的微观结构、表面形貌、室温光致发光及光电特性进行表征.薄膜结构分析显示样品均沿c轴高度择优取向,呈六角纤锌矿晶体结构,随着膜厚的增加,薄膜结晶度明显提高,薄膜晶粒尺寸逐渐增大.由SEM照片观察到,厚度的增加明显促进了薄膜表面颗粒生长的均匀性与致密性.由光致发光谱表明:厚度增加,薄膜的本征发光峰增强且均出现较强的紫外发光峰和蓝光发光峰.FT-IR结果显示780 nm厚的薄膜在高波数区域红外吸收明显比320 nm和560 nm弱.薄膜电阻率随厚度增加由1.4×10-2 Ω·cm减小至2.6×10-3Ω·cm,且薄膜透过率均保持在90%左右.

关键词: 溶胶凝胶法 , Mg-Sn共掺ZnO , 厚度 , 电阻率 , 透过率

SO2提高太阳能玻璃透过率的作用机理分析

李春华 , 姜宏 , 赵会峰 , 邹世锋 , 黄火强

材料科学与工程学报

本文主要研究了SO2气氛下的热处理对太阳能玻璃透过率的影响,发现SO2气氛下热处理后的太阳能玻璃的透过率有所增加.通过紫外可见分光光度计测定了太阳能玻璃表面的反射光谱,利用场发射SEM观察其表面形貌和断面形貌,采用EPMA分析了太阳能玻璃的纵向成分分布,并探讨了SO2气氛下的热处理提高太阳能玻璃透过率的作用机理.

关键词: 二氧化硫 , 热处理 , 太阳能玻璃 , 透过率

加工温度对线型低密度聚乙烯/聚苯乙烯薄膜微观形态及光散射性能的影响

薛娟 , 熊英 , 沈佳斌 , 郭少云

高分子材料科学与工程

采用微层共挤出制备了16层(线型低密度聚乙烯(LLDPE)/聚苯乙烯(PS))共混物/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)交替层状材料,将PMMA层剥去后得到从皮层和芯层不同位置的LLDPE/PS薄膜.研究加工温度对皮层和芯层薄膜微观形态和光散射性能的影响.微观形态观察显示,对于200℃制备的皮层和芯层LLDPE/PS薄膜中PS均以球状分散,皮芯层差异较小.随着加工温度的升高,PS分散相开始沿挤出方向变形,特别在皮层薄膜中的变形尤为显著,皮芯层形态差异逐渐增大.光散射性能测试结果表明,加工温度升高后,试样的光散射各向异性程度增加,透光性降低,雾度均在93%左右,同时皮芯层的光学性能差异逐渐增大.说明较低的加工温度更有利于制得均匀结构和光散射性能优异的LLDPE/PS光散射材料.

关键词: 微层共挤出 , 光散射 , 皮芯层结构 , 透光率 , 雾度

氧离子后处理对氧化铟锡(ITO)薄膜电学和光学性能的影响

郭向茹 , 周灵平 , 彭坤 , 朱家俊 , 李德意

人工晶体学报

采用氧离子束对电子束蒸发制备且退火后的氧化铟锡(ITO)薄膜进行轰击后处理.经XPS检测发现氧元素在薄膜内含量增加,在深度方向上的梯度差下降.表面Sn4+含量增加,即掺杂离子浓度和载流子浓度提高,从而使薄膜方块电阻显著降低.当氧离子继续轰击时,薄膜的方块电阻保持平稳;同时,透过率曲线蓝移,紫外波段(300~400 nm)的平均透过率提高而可见光范围内(400 ~800 nm)的平均透过率略有下降,这种变化缘于薄膜的禁带宽度与折射率的增加.

关键词: ITO薄膜 , 电子束蒸发 , 氧离子束 , 方块电阻 , 透过率

化学浴沉积法制备ZnS薄膜的结构及可见-近红外光谱特性研究

刘颖 , 缪彦美 , 郝瑞亭 , 郭杰 , 杨海刚

人工晶体学报

采用化学水浴法,以ZnSO4、柠檬酸钠、NH3·H2O、SC(NH2)2为反应物,在玻璃衬底上制备了ZnS薄膜,采用XRD、SEM、分光光度计、台阶仪等手段研究了水浴温度、沉积时间、pH值等条件对ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能的影响.结果表明,ZnS薄膜经退火后出现明显特征衍射峰,为闪锌矿结构,可见光范围内平均透过率均大于80%.经过工艺优化,在水浴温度为80℃、沉积时间为1h、pH=10条件下沉积的ZnS薄膜表面均匀致密,可见光范围内平均透过率为89.6%,光学带隙为3.82 eV,适合做铜铟镓硒和铜锌锡硫薄膜太阳电池的缓冲层.

关键词: ZnS薄膜 , 缓冲层 , 化学浴沉积 , 透过率

强磁场作用时间对氧化法制备的Co掺杂ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响

李国建 , 王振 , 王强 , 王慧敏 , 杜娇娇 , 马永会 , 赫冀成

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2014.00376

利用FESEM,XRD和紫外可见分光光度计研究了强磁场作用时间对真空蒸发氧化法制备的Co掺杂ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响.结果表明:强磁场抑制了ZnO珊瑚枝状形貌的生长,氧化60 min时,无磁场下生长成球状颗粒,而6T磁场下则生长成片状组织.强磁场作用时间的增加会使薄膜的择优生长从(101)变成(002);影响磁性Co原子在ZnO中的分布;薄膜的禁带宽度降低到2.95~3.13 eV的范围内.另外,无磁场时氧化时间的增加会降低薄膜的透光率,而强磁场下氧化时间的增加会提高透光率.这些研究结果为ZnO薄膜表面形貌、择优生长、磁性原子分布、透光率和禁带宽度等微观结构和光学性能的调控提供了一种新方法.

关键词: ZnO薄膜 , Zn氧化 , 透光率 , 强磁场 , 真空蒸发

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