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低温下含Zn,Ag或Sc的8090合金正电子寿命谱分析

高英俊 , 吴伟明 , 冯冠之 , 许少杰 , 阮向东

金属学报

在25—275K范围内,测量了正电子在8090合金和含Zn,Ag或Sc的8090合金的湮没寿命.结果表明,τ1=175—187ps是典型的正电子在共格粒子δ'(Al3Li)上的湮没寿命;τ2对温度T有明显的依赖关系.只要同时考虑空位、晶界对τ2的影响,就可以很好地对这四种样品的τ2-T曲线作出解释,并可对空位的存在形式作出推断.

关键词: 8090合金 , positron annihilation lifetime , cryogenic temperature , vacancy , Zn , Ag , Sc

Si在Al—0.35wt—%Si合金表面的非平衡偏聚

陈宁 , 余宗森

金属学报

金相、X射线电子能谱和显微硬度等实验表明,Si在Al-0.35wt-%Si合金氧化膜下的过饱和空位造成的空位坑中有Si的偏聚.这种偏聚只能用空位-Si原子复合体扩散导致的非平衡偏聚理论来解释。

关键词: 非平衡偏聚 , vacancy , Al-Si alloy , surface

Ti(0001)表面低能沉积Ti原子的分子动力学模拟

黄河颜超赖新春刘天伟张庆瑜

金属学报

采用嵌入原子势, 运用分子动力学 (MD) 研究了Ti(0001) 表面低能沉积不同能量Ti原子时表面吸附、溅射和空位的变化. 低能Ti原子沉积Ti(0001) 表面过程
中, 存在一个溅射能量阈值, 其值大约为40---50 eV. 入射原子能量低于溅射阈值时, 入射原子可以认为是沉积原子; 入射原子能量大于溅射阈值时, 溅射产额随入射原子能量的增加而线性增加. 表面吸附原子和溅射原子的分布都呈现6次旋转对称, 当入射原子能量大于溅射阈值时, 表面吸附原子主要是基体表层原子, 入射原子直接成为表面吸附原子的概率很小. 空位缺陷主要分布在基体的最表层, 当入射原子能量大于溅射阈值时, 基体次表层产生的空位缺陷随入射原子能量的增加而增多.

关键词: 分子动力学 (MD) , embedded atom method (EAM) , sputtering , adsorption , vacancy

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