严成锋
,
施尔畏
,
陈之战
,
李祥彪
,
肖兵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00425
选用钒掺杂浓度为0.2at％的高质量6H-SiC晶体, 电阻率为7.0×108Ω·cm, 研制出超快大功率SiC光导开关. 在脉冲宽度为20ns的光源激发下, 分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性. 结果表明: 1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越, ...
关键词:
碳化硅
,
vanadium-doped
,
semiinsulating
,
photoconductive semiconductor switches
