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水平磁场下18英寸直拉硅单晶生长工艺的三维数值模拟

年夫雪 , 邓先亮 , 邓康 , 任忠鸣 , 吴亮

稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.XY15083102

利用计算机模拟仿真技术对适用于生长18英寸直拉单晶硅的40英寸热场在水平磁场下的生长工艺进行三维模拟仿真计算,重点分析了不同强度水平磁场作用下熔体和晶体中的温度场分布、熔体中流场的变化及其对晶体生长固/液界面形状的影响及其变化规律,并进一步研究了不同水平磁场强度对熔体和晶体中氧杂质含量分布影响.数值...

关键词: 水平磁场 , 18英寸硅单晶 , 直拉法 , 三维数值模拟

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