张东国
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李忠辉
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彭大青
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董逊
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李亮
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倪金玉
人工晶体学报
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响.使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN 2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品在室温下2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V·s.
关键词:
MOCVD
,
缓冲层
,
AlGaN/GaN
,
二维电子气
沈波
,
张荣
,
郑有炓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.012
研究了调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中与二维电子气 (2DEG) 有关的光致发光,发现温度40 K时Al0.22Ga0.78N/GaN 异质结中2DEG 与光激发空穴复合形成的发光峰位于3.448 eV, 低于GaN 自由激子峰45 meV.由于AlxGa1-xN/GaN 界面极强的压电极化场的影响,光激发空穴很快扩散进GaN 平带区,导致2DEG 与光激发空穴复合几率很低.在GaN 中接近Al0.22Ga0.78N/GaN 界面处插入Al0.12Ga0.88N 限制层用于抑制光激发空穴的扩散,从而大大增强了2DEG发光峰的强度.还研究了2DEG发光峰随温度和光激发强度的变化.
关键词:
GaN
,
二维电子气(2DEG)
,
异质结
,
光致发光
