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低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

张东国 , 李忠辉 , 彭大青 , 董逊 , 李亮 , 倪金玉

人工晶体学报

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响.使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使Al...

关键词: MOCVD , 缓冲层 , AlGaN/GaN , 二维电子气

调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中二维电子气的光致发光

沈波 , 张荣 , 郑有炓

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.012

研究了调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中与二维电子气 (2DEG) 有关的光致发光,发现温度40 K时Al0.22Ga0.78N/GaN 异质结中2DEG 与光激发空穴复合形成的发光峰位于3.448 eV, 低于GaN 自由激子峰45 meV.由于AlxGa1-xN/GaN 界面极强的压电极...

关键词: GaN , 二维电子气(2DEG) , 异质结 , 光致发光

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/34/11/114003

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/34/4/044002

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/36/3/034003

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/37/4/044003

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