孙国胜
,
王雷
,
巩全成
,
高欣
,
刘兴昉
,
曾一平
,
李晋闽
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.005
本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-SiC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-SiC...
关键词:
3C-SiC
,
LPCVD生长
,
Si台面
,
SiO2/Si
陈小庆
,
孙利杰
,
邬小鹏
,
钟泽
,
傅竹西
功能材料
用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝(TMA)源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型.用XPS方法测试样品后发现,TMA载气流量与硅烷流量比直接影响Al原子在SiC薄膜中的含量.Al含量在1.5%以下,Al原子在SiC薄膜中主要以填隙形式(Ali)存在,...
关键词:
3C-SiC
,
SiC:Al
,
MOCVD
,
导电类型
石彪
,
朱明星
,
陈义
,
刘学超
,
杨建华
,
施尔畏
硅酸盐通报
3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们关注.单晶Si与3C-SiC之间存在较大的晶格失配(20％)和热膨胀系数差异(8％),严重制约着高质量单晶薄膜的制备.本文对单晶Si衬底异质外延3C-SiC薄膜的...
关键词:
3C-SiC
,
化学气相沉积
,
异质外延
,
缺陷
石彪
,
刘学超
,
周仁伟
,
杨建华
,
郑燕青
,
施尔畏
人工晶体学报
本文以Si(100)为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同温度(1100～1250℃)下制备的“缓冲层”上生长了3C-SiC薄膜.结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现“镶嵌”结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞.碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙...
关键词:
3C-SiC
,
碳化
,
结晶质量
,
缓冲层
苏剑峰
,
郑海务
,
林碧霞
,
朱俊杰
,
傅竹西
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.002
用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质...
关键词:
无机非金属材料
,
LPMOCVD
,
3C-SiC
,
p-Si(111)衬底
