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4英寸低位错锗单晶生长

冯德伸 , 李楠 , 苏小平 , 杨海 , 闵振东

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.01.007

采用直拉法生长 4 英寸低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求.

关键词: 4英寸锗单晶 , 温度梯度 , 缩颈 , 工艺参数 , 位错密度