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物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究

使用物理气相传输方法(PVT)生长出3英寸4H-SiC单晶.在生长过程中通过在粉料表面放置分布有多个贯穿孔的石墨片,在粉料表面有意引入具有一定分布规律的碳颗粒.在生长后的单晶中能够观察到与石墨片贯穿孔分布相似的包裹物分布.通过对实验结果分析,提出了碳包裹物的形成机制,作者认为生长过程中生长腔内产生的...

关键词: 物理气相传输 , 4H-SiC , 碳包裹物 , 质量输运 , 形成机制

4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究

蔡加法 , 陈厦平 , 吴少雄 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.06.018

分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷.结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz) C-V特性几乎不随反向偏压变化.随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , p-i-n紫外光电探测器 , 电容-电压 , 深能级缺陷

4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管

孙国胜 , 宁瑾 , 高欣 , 攻全成 , 王雷 , 刘兴昉 , 曾一平 , 李晋闽

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.008

利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2～5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-SiC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在...

关键词: 4H-SiC , 同质外延生长 , 肖特基二极管

离子注入对高质量4H-SiC外延片ESR谱的影响

程萍 , 郝建民

兵器材料科学与工程

利用电子自旋共振仪分析了C+、Si+对高质量4H-SiC外延片中本征缺陷ESR谱的影响.结果表明:与原始样品相比,C+、Si+离子注入不仅降低了外延片中的本征缺陷浓度,同时可导致本征缺陷种类发生变化;Si+注入使样品中本征缺陷浓度降低约61％,而C+注入使本征缺陷浓度降低达63％以上.

关键词: 4H-SiC , 离子注入 , 本征缺陷

4H-SiC晶体中Vsi本征缺陷研究

程萍 , 张玉明 , 张义门

人工晶体学报

采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计算.结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺陷VC-C和Vsi的形成能相差为4.472eV,在此基础上分析了亚稳定型本征缺陷Vsi向稳定型本征缺...

关键词: 本征缺陷 , 第一性原理 , 形成能 , 4H-SiC

金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外光电探测器的研制

吴正云 , XIN Xiao-bin , YAN Feng , ZHAO Jian-hui

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.02.019

MSM结构探测器具有结构与工艺简单、制备成本低、量子效率高等特点而在探测器应用中得到重视.本文制备了采用镍作为肖特基接触形成的MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了在不同的偏压下其光电特性.结果表明,该探测器的暗电流非常小,在偏压为15 V的时候,漏电流密度约为70 nA/cm2,光电流...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , MSM结构 , 紫外探测器

不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究

杨克勤 , 陈厦平 , 杨伟锋 , 孔令民 , 蔡加法 , 林雪娇 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.02.024

采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响.通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子.在反向偏压100V下,样品的反向漏...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , Schottky势垒高度 , 退火

用于4H-SiC雪崩光电探测器p型欧姆接触的研究

朱会丽 , 陈厦平 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.06.016

对4H-SiC雪崩光电探测器的Ti/Al/Au p型欧姆接触进行了详细的研究.通过线性传输线模型(LTLM)测得经930℃退火后欧姆接触的最小比接触电阻为5.4×10-4Ωcm2.分别用扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射谱(XRD)对退火前后的表...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , p型欧姆接触 , X射线光电子能谱 , 雪崩光电探测器

4H-SiC表面热氧化生长SiOx薄膜特性的研究

陈厦平 , 朱会丽 , 蔡加法

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.016

采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)测试方法对4H-SiC上热氧化生长的氧化硅(SiOx)薄膜表面形貌进行观测,并分析研究SiOx薄膜和SiOx/4H-SiC界面的相关性质,包括拟合Si2p、O1s和C1s的XPS谱线和分析其相应的结合能,以及分析SiOx...

关键词: 材料 , SiOx薄膜 , 热氧化 , X射线光电子能谱 , 4H-SiC

4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟

钟林瑛 , 洪荣墩 , 林伯金 , 蔡加法 , 陈厦平 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.017

应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构.分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26 μm,掺杂浓度为9.0×1017 cm-3.模拟分析了该APD的反向IV特性、光增益、...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , APD , 光谱响应 , 探测率

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