王旭
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张帆
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朱合范
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潘红良
表面技术
采用CVD法制备6.5％Si高硅钢,介绍了具体的制备工艺过程,研究了温度对渗硅速率和试样质量减轻的影响,同时分析了扩散时间对高硅钢中硅分布的影响.结果表明:在CVD反应过程中,反应温度高于1050℃将大大提高渗硅速率,但当温度大于1200℃后,渗硅速率趋于稳定；渗硅后,试样会减轻、减薄,随着温度升高,试样质量减轻的速率逐渐增大,在1200℃左右趋于稳定；扩散时间越长,硅分布越均匀,结合制备效率进行考虑,满足△w表-中/b≤5的时间为适宜的扩散时间.
关键词:
6.5％ Si高硅钢
,
CVD
,
温度
,
扩散时间
