黄春波
,
吕战鹏
,
杨武
腐蚀与防护
doi:10.3969/j.issn.1005-748X.2003.01.001
通过对改性800合金(800M)在沸腾的50%NaOH+0.3%SiO2+0.3%Na2S2O3溶液中发生的晶间腐蚀(IGA)和沿晶应力腐蚀破裂(IGSCC)试样的扫描电镜(SEM)观察,结合阳极极化曲线、表面膜俄歇电子能谱(AES)分析和恒电位极化的稳定溶解电流密度ist等测试研究了800M合金在碱液中的IGA形成及IGSCC破裂机理,并探讨了IGA对IGSCC的促进作用.发现在-500mV/SCE整个表面发生的IGA是表面膜中Cr的相对含量低,保护性差,以及溶液中S2O32-还原成S2-在晶界偏析,使晶界的化学活性增加,导致C形环晶界的溶解速率iIG＞晶粒的溶解速率iGCiGC所致.在电位E=-40及-20mV/SCE发生IGSCC,可能是由于Ni形成不稳定的氧化产物,使合金表面膜保护性能下降,在应力作用下,活性大的晶界溶解,形成的微裂纹沿晶界扩展而导致沿晶应力腐蚀破裂.800M合金表面形成的IGA对IGSCC的萌生与扩展有促进作用,晶界是合金发生IGSCC的活性通路.
关键词:
800M合金
,
IGA IGSCC
,
SEM
,
破裂机理
黄春波
,
吕战鹏
,
杨武
中国腐蚀与防护学报
对改性800合金(800M)在沸腾的50%NaOH+03%SiO2+03%Na2S2O3溶液中 不同电位下恒电位极化2 h后的表面膜进行了俄歇电子能谱(AES)分析，发现在所选择的电位 条件下(-500 mV～80 mV)，表面膜中Ni的富集因子比Fe、Cr的大一个数量级，表面 膜富Ni而贫Fe、Cr.在-500 mV，800M合金C形环试样发生晶间腐蚀(IGA)是由于表面膜中S富 集、Cr的相对百分含量很低，S2-在晶界偏析及晶界形成严重贫铬区.富集因子随电位 的变化曲线有一拐点电位(Ecr=-40 mV).在-40 mV时，C形环试样发生IGA是由于 生成不稳定的Ni的氧化产物xNi2+yNi3+Oy(OH)2x+y，表面膜保护性 能下降，应力撕破表面膜，活性晶界优先发生溶解形成的.在-30 mV～40 mV时，C形环试样 发生沿晶应力腐蚀破裂( IGSCC)则可能是由于xNi2+yNi3+Oy(OH) 2x+y不稳定，活性晶界分数大于裂纹扩展所需临界分数的缘故.
关键词:
800M合金
,
hot concentrated caustic solution
,
AES
,
enr ichment factor
,
IGA
,
critical potential
