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陈光红 , 于映 , 罗仲梓 , 吴清鑫
功能材料
研究了AZ52ME反转光刻胶的性能并选择适当的工艺可制得利于剥离的倒台面,并将其应用于射频MEMS开关的制作中剥离厚2μm的金薄膜.用扫描电镜(SEM)测出胶的侧壁为倒台面.
关键词: AZ5214E , 反转:剥离
吕文龙 , 罗仲梓 , 何熙 , 张春权
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.008
研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响.结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约21μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模.
关键词: PECVD , SiO2 , AZ5214E , 剥离
