张秀勤
,
王政红
,
薛建强
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2012.02.010
采用机械混粉、造粒、模压和冷等静压(CIP)成型相结合的功能陶瓷制备工艺制备了AZO靶材,研究了空气、真空及惰性气氛对AZO靶材性能的影响.结果发现,氩气保护烧结法制备的AZO靶材不仅密度高,电阻率达10-4Ω·cm量级,而且该方法还可明显抑制氧化锌的挥发,降低烧结温度,在1320℃的温度下便可制得相对密度为99％、晶粒度在4μm左右的靶材.
关键词:
AZO靶材
,
AZO薄膜
,
冷等静压
,
惰性气体
白雪
,
王星明
,
韩仓
,
储茂友
,
段华英
,
孙静
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.06.018
以ZnO和Al2O3粉体为原料,采用热压烧结制备AZO靶材.通过阿基米德法测量靶材的密度,压汞法测量靶材的孔径分布,扫描电镜观察靶材的断面形貌,研究了热压温度对AZO靶材密度、气孔演化和显微结构的影响.结果表明:根据烧结温度的不同,AZO靶材热压致密化过程分为两个阶段:850～1050℃,随着温度的升高,连通气孔发生合并与收缩,孔径分布逐渐集中化,同时闭孔率逐渐减小,在1050℃具有最低值0.104％.这一阶段的主要特征是致密化速率较快,存在相互连通的气孔.当温度升至1150℃,颗粒之间结合紧密,孔隙率降至5.21％.这一阶段的主要特征是气孔全部闭合.将所制备的靶材作为溅射源,进行射频磁控镀膜测试.采用台阶仪测量膜厚,紫外分光光度计测量薄膜透光率,四探针电阻图谱仪测量薄膜电阻率,XRD分析物相的结构.镀膜测试结果显示,在相同的溅射条件下,靶材孔隙率越低,沉积速率越快,所得薄膜电阻率越低,但溅射功率较高时薄膜透光率明显减小.平均孔径较小且孔径分布集中的靶材,溅射所得薄膜电阻率较低.在溅射功率密度为3.9 W·cm-2下,相对密度高于80％的AZO靶材,靶材寿命大于150 W·h.相对密度为94.79％的靶材在溅射功率30W下沉积20 min得到薄膜的电阻率为3.14×10-4Ω·cm,平均透过率大于85％,具有002择优取向,满足薄膜太阳能对透明导电薄膜性能的要求.
关键词:
AZO靶材
,
热压
,
薄膜
,
溅射
王志勇
,
彭超群
,
王日初
,
王小锋
,
刘兵
中国有色金属学报
采用二步烧结技术制备AZO陶瓷靶材，并采用XRD、SEM和EDS对AZO陶瓷靶材进行表征，研究AZO靶材的电阻性能。结果表明：当Al的掺杂量w(Al2O3)为0.5%时，AZO靶材出现第二相ZnAl2O4；随Al掺杂浓度增加，ZnAl2O4的衍射峰强度逐渐增强，ZnO 晶粒尺寸逐渐减小；随着第二步烧结温度θnd的升高，AZO靶材的晶粒尺寸逐渐增大，相对密度也随之增加。靶材的电阻率随θnd增加而降低，且随掺杂浓度升高而增加；在第一步烧结温度θst=1400℃，升温速率vst=10℃/min，第二步烧结温度θnd=1350℃和tnd=16 h烧结条件下， AZO陶瓷靶材(w(Al2O3)=1.5%)的电阻率仅为2.9×10-2Ω·cm。
关键词:
AZO靶材
,
二步烧结
,
保温温度
,
相对密度
,
电阻率
董雪振
,
吴任平
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.02.023
将AZO原料粉末和AZO残靶研磨后的粉末混合,采用注浆成型和常压大气烧结工艺制备靶材,实验主要测试了相对密度、吸水率、线收缩率和电阻率等性能,并通过XRD和SEM表征AZO靶材的晶体形态和微观结构,与新靶材进行性能对比,研究残靶粉末回收利用对靶材性能的影响.残靶粉末的加入对AZO靶材有轻微影响,测试结果显示烧结温度1450℃、保温5h、AZO残靶加入量为10％时有较好的性能:相对密度高达99.24％,吸水率和收缩率分别为17.96％和15.70％,电阻率为2.12×10-3Q· cm.含有残靶的AZO靶材稍差的性能可能归结于AZO粉末和残靶粉末的兼容性.
关键词:
AZO靶材
,
AZO残靶
,
回收利用
