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衬底和退火时间对Al掺杂ZnO薄膜微结构和光学特性的影响

孟军霞 , 马全新 , 王超

材料导报

采用射频磁控溅射方法在玻璃和硅衬底上制备出Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致荧光发光(PL)等系统研究了不同Al掺杂量对ZnO薄膜的结晶性能、表面形貌和光学特性等的影响.结果显示,硅衬底和玻璃衬底均出现了(100)和(002)衍射峰,玻璃的(002)衍射峰强于硅.同时随着退火时间的延长,(002)峰强度基本不变,(100)峰的强度逐渐增强,薄膜呈(100)取向生长,表明退火时间可能会引起晶体生长过程中择优取向的改变.退火1.5h样品可以得到最佳的(002)取向.随着退火时间的延长,样品的PL谱中各发光峰强度先增强后减弱随后又增强,且蓝光双峰强度大于绿光峰强度;位于443nm的蓝光发光峰发生了蓝移.

关键词: 磁控溅射法 , AZO薄膜 , 结构特性 , 光学特性

溶胶-凝胶法制备的ZnO∶Al薄膜的微观结构及光学、电学性能

周宏明 , 易丹青 , 余志明 , 肖来荣 , 李荐 , 王斌

金属学报

采用溶胶-凝胶法制备了ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜.通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、扫描电镜(SEM)和电阻测量装置, 考察了Al掺杂量、退火温度及镀膜层数等工艺参数对薄膜的微观结构和光电性能的影响. 结果表明,退火温度越高, 多晶AZO薄膜的(001)晶面择优取向生长的趋势越强, 并且随退火温度升高,薄膜的晶粒尺寸增大, 透光率增加. 薄膜晶体结构为纯ZnO的六角纤锌矿结构. 在掺杂浓度1%(摩尔分数)、退火温度500℃及镀膜层数10的条件下, 得到了电阻率为3.2×10-3 Ω•cm、可见光区的平均透射率超过90%的AZO薄膜.

关键词: ZnO∶Al(AZO)薄膜 , Sol-gel

两步法制备高择优取向的AZO薄膜

方华靖 , 严清峰 , 王晓青 , 沈德忠

人工晶体学报

通过水热生长的预处理步骤在普通玻璃载玻片表面铺设种子层,然后采用旋涂法在处理好的衬底上涂覆前驱体溶胶,成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的Al掺杂的ZnO薄膜(AZO)薄膜.利用X射线衍射分析、扫描电镜表征薄膜形貌,并测定薄膜的透射率及电阻率.研究了种子层对AZO薄膜结晶性能、表面形貌及光电性能的影响.结果表明:种子层减少了薄膜生长初期的非晶成份,促进了薄膜的晶化.薄膜在可见光范围内平均透射率超过85%,导电性能也有所改善.

关键词: AZO薄膜 , 种子层 , 溶胶凝胶 , 光电性能

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