刘超英
,
陈玮
,
徐志伟
,
付静
,
左岩
,
马眷荣
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.011
采用磁控溅射方法在玻璃衬底上使用掺杂3％(质量分数)Al2 O 3的 ZnO 陶瓷靶材制备出了掺铝氧化锌(ZnO ∶ Al,AZO)透明导电薄膜.分别用XRD、SEM、四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对薄膜的性能进行了表征和分析.研究了溅射过程中不同氩气压强(0．3~1．2 Pa)对薄膜结构、形貌及光电性能的影响.XRD 测试结果表明,所制备的薄膜均具有呈c 轴择优取向的纤锌矿结构.当氩气压强为0．3 Pa时,AZO 薄膜的电阻率最低为6．72×10－4Ω?cm.所有样品在可见光波段的平均透过率超过85％.
关键词:
氩气压力
,
射频磁控溅射
,
AZO 薄膜
,
光电性能
周洪彪
,
张化宇
,
王志刚
复合材料学报
采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺铝ZnO透明导电薄膜（AZO）。为了降低AZO薄膜的电阻率, 采用在溅射气氛中通入一定比例H2的方法对AZO薄膜进行氢化处理, 并研究了溅射气氛中H2含量及衬底温度对AZO薄膜氢化效果的影响。结果表明： 在低温条件下, 氢化处理能有效降低AZO薄膜的电阻率; 在衬底温度为100℃的低温条件下, 通过调节溅射气氛中H2的比例, 制备了电阻率为6.0×10^-4 Ω·cm的高质量氢化AZO薄膜, 该电阻值低于同等条件下未氢化AZO薄膜电阻值的1/3; 但随着衬底温度的升高, 氢化处理对薄膜电学性能的改善效果逐渐减弱。
关键词:
AZO薄膜
,
射频磁控溅射
,
氢化
,
衬底温度
,
电阻率
陈丹
,
吕建国
,
黄靖云
,
金豫浙
,
张昊翔
,
叶志镇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12482
采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能.当沉积压强为0.1 Pa时,AZO薄膜光电性能最优.将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层,在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰,但芯片工作电压较高,约为10V,芯片亮度随正向电流的增大而增强.二次离子质谱测试表明,AZO薄膜与GaN层界面处两种材料导电性能的变化以及钝化层的形成是导致芯片工作电压偏高的原因.
关键词:
AZO薄膜
,
GaN基LED
,
透明电极
,
脉冲激光沉积
