顾莉莉
,
熊克
,
卞侃
,
吴佳俊
,
陈骐
,
王帮峰
复合材料学报
在不同的沉积温度-修饰温度(25℃-25℃,15℃-25℃,15℃-15℃,10℃-10℃,7.5℃-15℃,7.5℃-7.5℃)设定下,以化学沉积的方法制备银型离子聚合物金属复合材料(Ag-IPMC),并对制得试样进行了表面形貌观察以及拉伸测试和动态位移测试.结果表明:制备温度在7.5～25℃范围内,反应温度越低,离子交换膜表面所沉积的银粒子团聚颗粒越细小.在7.5℃-7.5℃下制备试样比25℃-25℃下制备的试样团聚颗粒直径小60％.电极厚度受温度影响较大,不同温度下内、外层电极厚度差异明显(内:～130％,外:～70％);制备温度在15℃-15℃的试样具有最大的弹性模量(比最小值大28％).在实验温度范围内,最大驱动变形量随着反应温度的降低而增大,其最大值比最小值大80％.
关键词:
金属离子聚合物复合材料
,
银电极
,
反应温度
,
抗拉性能
,
动态位移
吴崎
,
许玲
,
董承远
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163104.0375
为了适应大尺寸高分辨率显示的技术需求,研究并开发用于非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)阵列的低电阻电极非常关键.本文采用磁控溅射制备的金属银为源漏电极,设计并制作了底栅结构的a-IGZO TFT器件.实验发现,具有单层银源漏电极的器件电学特性较差,这是因为银与a-IGZO之间不能形成良好的欧姆接触.另一方面,通过增加钛中间层而形成的Ag/Ti电极在保持低电阻的同时能够有效阻止银原子扩散并与a-IGZO形成较好的接触状态.最终制备的以Ag/Ti为源漏电极的a-IGZO TFT具有明显改善的电学特性,场效应迁移率为1.73 cm2/V·s,亚阈值摆幅2.8 V/(°),开关比为2×107,由此证明了磁控溅射制备的银电极具有应用于非晶氧化物薄膜晶体管的实际潜力.
关键词:
非晶铟镓锌氧
,
薄膜晶体管
,
银电极
,
磁控溅射
,
平板显示
卞侃
,
熊克
,
朱程燕
,
顾莉莉
,
陈骐
复合材料学报
利用化学沉积的方法，在反应温度为23℃和10℃的条件下，制备银型离子聚合物金属复合材料（Ag—IPMC）。SEM和EDAX观测结果表明：反应温度10℃下制备的试样与23℃的试样相比，具有更好的电极沉积效果，其内、外电极厚度分别增加25％和34％，且外电极的开裂和剥落现象得到抑制。对10℃条件下制备的三种不同厚度的试样（0．2mm、0．4mm、0．8mm）的传感特性研究表明：随着厚度的增加，试样输出电压和灵敏度增强趋势明显；三种试样均对低频激励敏感，在0．3～0．8Hz时试样具有最高的灵敏度，其中0．8mm试样在0．65Hz时的传感电压为17．82mV，灵敏度可达1030．06mV／mm。
关键词:
离子聚合物金属复合材料
,
银电极
,
反应温度
,
传感
,
频率
