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AgGa1-xInxSe2晶体的生长习性研究

赵国栋 , 朱世富 , 赵北君 , 万书权 , 陈宝军 , 何知宇 , 王莹 , 龙勇

人工晶体学报

采用DTA对不同铟含量(x)的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试.结果表明:随着x值的增加其过冷度增大.采用改进的垂直布里奇曼法和实时补温技术,对AgGa1-xInxSe2晶体生长过程中的结晶特性和生长温度场关系进行了研究,并对其结晶形态进行了观测.发现:随着晶体生长过程的进行,熔体结晶温度呈下降趋势,固-液界面发生移动;生长晶体表面存在外形规则、形状相同的半球状小孔,有取向一致的台阶反光面,小孔底部为{112}面.研究结果为大尺寸、高质量的AgGa1-xInxSe2单晶体生长奠定了基础,生长出了尺寸达20 mm×60 mm的完整AgGa1-xInxSe2单晶体.

关键词: AgGa1-xInxSe2 , 晶体生长 , 布里奇曼法 , 生长习性 , 实时补温技术

AgGa1-xInxSe2晶体热处理研究

许建华 , 赵北君 , 朱世富 , 陈宝军 , 何知宇 , 万书权

人工晶体学报

结合差示扫描量热曲线(DSC)和相图确定出热处理的温度范围.分别在真空和AgGa1-xInxSe2(x=0.2,0.6,0.8)多晶粉末包埋下,对ASGa0.4In0.6Se2晶体进行了热处理实验,分析了热处理对晶体性能的影响.结果表明:用x=0.6和0.8的多晶粉末包埋,在680℃下保温120 h后再淬火处理的晶片,其红外透过率在550~5500 cm-1波数范围内整体提高到65%以上,光学质量显著提高;EDX和XRD分析表明,采用AgGa0.2In0.8Se2多晶粉末包埋,能够补充晶片中的In缺失,成分更接近AgGa0.4In0.6Se2化学计量比,同时晶片结晶质量也得到明显改善.

关键词: AgGa1-xInxSe2 , 热处理 , 红外透过率 , 热分析 , 光学质量 , 结晶质量

AgGa1-xInxSe2单晶的生长研究

黄毅 , 赵北君 , 朱世富 , 刘娟 , 张建军 , 朱伟林 , 徐承福

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.011

采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se0.3~0.5%配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-xInxSe2多晶材料.以此为原料采用布里奇曼法生长出外观完整的尺寸为φ15mm×25mm的AgGa1-xInxSe2单晶锭(x=0.2).沿自然显露面对晶体进行了解理和X射线衍射分析,发现该面是(101)面.同时进行了红外透过率测试,其红外透过率为41%.

关键词: 红外非线性光学晶体 , AgGa1-xInxSe2 , 多晶合成 , 单晶生长 , 布里奇曼法 , X射线衍射

AgGa0.2In0.8Se2晶体小温度梯度生长与性质表征

袁泽锐 , 唐明静 , 张羽 , 窦云巍 , 方攀 , 尹文龙 , 康彬

人工晶体学报

利用单温区机械振荡法合成出高纯单相AgGa0.2In0.8Se2多晶,单次合成量超过400 g;DSC测试结果显示其熔点为782℃,结晶温度为771℃.利用坩埚下降法在小温度梯度(2℃/cm)下生长出尺寸为φ25 mm× 75 mm高品质无开裂AgGa0.2In0.8Se2单晶.解离面(112)面摇摆曲线半峰宽为0.056°.厚度为3 mm双面抛光的(112)面晶片在1.5~18 μm波段透过率为65.0% ~ 67.5%,表明所生长AgGa0.2In0.8Se2晶体具有较低的吸收系数,为0.01 ~0.1之间.

关键词: AgGa1-xInxSe2 , 晶体生长 , 温度梯度 , 坩埚下降法

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