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AgGaGeS_4晶体生长及性能研究

王振友 , 吴海信 , 倪友保 , 毛明生 , 黄飞 , 陈林

人工晶体学报

采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸φ30 mm×80 mm的AgGaGeS_4单晶.X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整.单晶元件在1.5～9.6 μm波段平均吸收系数约为0.25 cm~(-1),其中6.7～7.8 μm波段小于0.02 cm~(-1).制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43...

关键词: AgGaGeS_4晶体 , 布里奇曼法 , 倍频 , 损伤阈值