秦秀娟
,
韩司慧智
,
赵琳
,
左华通
,
宋士涛
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00607
采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.研究了Al掺杂(2at%～8at%)对ZnO薄膜结构及光电性能的影响.利用XRD、SEM、EDAX、紫外可见分光光度计等手段对样品进行测试.结果表明,制备的所有AZO薄膜均具有纤锌矿结构,不具有沿c轴方向的择优取向,XRD图谱中未观察出Al的相关分相.在可见光范围内,AZO薄膜的平均透过率大于72%,光学禁带宽度随Al掺杂量的增加而变窄.同时根据四探针技术所得的数据得知:Al的掺杂导致薄膜方块电阻的变化,随着A1掺杂量的增加,方块电阻有明显变小的现象,掺杂6at%A1的AZO薄膜具有最低方块电阻(18Ω/□).
关键词:
气溶胶
,
化学气相沉积法
,
Al:ZnO
,
透明导电薄膜
