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Effect of Thickness of SnO2：F over Layer on Certain Physical Properties of ZnO：Al Thin Films for Opto-electronic Applications

材料科学技术（英文）

关键词: ZnO , Al薄膜 , SnO2 , 光电应用 , 物理性质 , 覆盖层厚度 , 二层 , 喷雾热分解法 , X-射线衍射

厚度对室温沉积ZnO:Al薄膜光电特性的影响

孟超 , 王文文 , 顾宝霞 , 曹晔 , 刁训刚 , 康明生

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.018

利用直流磁控溅射法, 在室温玻璃衬底上制备了具有良好附着性的多晶ZnO∶ Al(ZAO)薄膜. 比较了室温下获得的薄膜与衬底加热条件下所得薄膜的结晶程度, 研究了厚度对室温条件下制备的ZAO薄膜表面形貌、电学性能及紫外-可见-近红外光区透光性的影响. 结果表明, 室温条件下制备的ZAO薄膜也具有(002)面择优取向, 随着膜厚的增加薄膜晶粒化程度提高, 载流子浓度和迁移率增大, 电阻率下降, 薄膜在紫外光区的吸收边发生红移, 在可见光区的平均透过率降低, 在近红外光区的透过率随厚度的增加而减小. 厚度为1200 nm的ZAO薄膜具有最佳光电综合性能, 其电阻率为7.315×10~(-4) Ω·cm, 方块电阻为6.1 Ω/□, 可见光区平均透过率达到82%, 波长为550 nm处的透过率为87%.

关键词: 直流磁控溅射 , ZnO , Al薄膜 , 透明导电薄膜 , 光电特性

NdFeB永磁体表面磁控溅射铝防护镀层性能研究

许伟 , 代明江 , 胡芳

表面技术

目的 研究一种NdFeB永磁体表面腐蚀防护技术.方法 采用磁控溅射技术,在烧结NdFeB永磁体表面沉积一层纯铝防护薄膜,然后对纯铝薄膜进行阿洛丁化学转化复合处理,表征膜层的表面和截面形貌,并研究结构及耐腐蚀性能.结果 沉积的Al中间层和Al薄膜均结构致密,膜/基界面平整,膜层的自腐蚀电流密度为3.5×10-6 A/cm2,说明纯Al薄膜能够对NdFeB永磁体提供有效的防护.阿洛丁化学转化可使铝薄膜表面更加致密,自腐蚀电流密度低至7.9×10-7 A/cm2,进一步提高了纯铝薄膜的防护性能.结论 NdFeB永磁体表面磁控溅射镀铝是一种有效且环保的防护技术,可用于替代不环保的电镀防护.

关键词: NdFeB永磁体 , Al薄膜 , 磁控溅射 , 耐腐蚀

Al薄膜纳米压痕过程的多尺度模拟

黎军顽倪玉山林逸汉罗诚江五贵

金属学报

采用多尺度准连续介质法分别模拟无缺陷和具有初始缺陷两种状态下, 单晶Al薄膜纳米压痕初始塑性变形过程, 得到载荷--位移响应曲线和应变能--位移变化曲线. 研究了初始缺陷对纳米压痕过程中位错形核与发射、Peierls应力以及位错发射临界载荷的影响. 结果表明, 在整个纳米压痕过程中出现了多次位错形核与发射现象, 初始缺陷对第1和第3对位错的形核与发射影响较小, 而对第2对位错的形核与发射具有明显的推迟作用, 并伴随有裂纹扩展现象; 由于初始缺陷引起薄膜材料内部严重的晶格畸变, 导致系统应变能和位错运动的Peierls应力增加; 裂纹扩展前, 发射第2对位错需要的临界载荷增加, 裂纹失稳后, 位错发射需要的临界载荷下降. 模拟获得的纳米硬度和Peierls应力与实验结果吻合.

关键词: Al薄膜 , nanoindentation , multiscale , quasicontinuum method , initial defect

薄膜Se对薄膜Al电极的防护作用探讨

李志贤 , 赵彦钊 , 张方辉

硅酸盐通报

本文在25 ℃、相对湿度50%的条件下,分别蒸镀了Al,Al/Se薄膜,研究了它们在空气中的导电性能,试验结果表明,只需50 s, Al薄膜的氧化反应已基本完成,其电阻率变化率为24.9%;大约需要2 min,Al/Se薄膜电阻变化率为4.5%,随后其电阻基本处于稳定状态.这主要是因为薄膜边沿和镀Se薄膜时形成的针孔的铝膜首先被氧化,使电阻增加.形成的Al2O3薄膜阻止了反应的继续进行,电阻不再变化.

关键词: 电阻变化率 , 稳定性 , Al薄膜 , Al/Se薄膜

Al薄膜纳米压痕过程的多尺度模拟

黎军顽 , 倪玉山 , 林逸汉 , 罗诚 , 江五贵

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2009.02.001

采用多尺度准连续介质法分别模拟无缺陷和具有初始缺陷两种状态下,单晶Al薄膜纳米压痕初始塑性变形过程,得到载荷-位移响应曲线和应变能-位移变化曲线.研究了初始缺陷对纳米压痕过程中位错形核与发射、Peierls应力以及位错发射.临界载荷的影响.结果表明,在整个纳米压痕过程中出现了多次位错形核与发射现象,初始缺陷对第1和第3对位错的形核与发射影响较小,而对第2对位错的形核与发射具有明显的推迟作用,并伴随有裂纹扩展现象;由于初始缺陷引起薄膜材料内部严重的晶格畸变,导致系统应变能和位错运动的Peierls应力增加;裂纹扩展前,发射第2对位错需要的临界载荷增加,裂纹失稳后,位错发射需要的临界载荷下降.模拟获得的纳米硬度和Peierls应力与实验结果吻合.

关键词: Al薄膜 , 纳米压痕 , 多尺度 , 准连续介质法 , 初始缺陷

钕铁硼表面真空蒸镀Al膜的制备及其性能

刘家琴 , 曹玉杰 , 张鹏杰 , 张浩 , 衣晓飞 , 陈静武 , 吴玉程

材料热处理学报

为了提高烧结NdFeB磁体的耐腐蚀性能,采用真空蒸镀的方法在烧结NdFeB磁体表面沉积A1薄膜,并对工艺过程中的工艺参数进行优化.结果表明:真空室温度对Al薄膜的结构及耐腐蚀性能基本没有影响,但温度过高会导致Al薄膜表面岛状结构的增大,造成Al薄膜的厚度一致性难以控制;随着蒸发源温度的增加,Al薄膜的沉积速率逐渐增加,但是随着蒸镀时间的延长,Al薄膜的沉积效率逐渐降低,这是由于Al蒸发原子在基片上冷凝沉积的物理驱动力下降导致的.采用最佳工艺参数制备的厚度为8μm的Al薄膜,耐中性盐雾试验时间可达60 h,且Al镀层的涂覆对NdFeB磁体的磁性能基本没有影响.

关键词: 烧结钕铁硼 , 永磁材料 , 真空蒸镀 , Al薄膜 , 耐腐蚀性能

触摸屏金属桥Al膜层表面粗糙度控制及机理研究

黄翀 , 李成 , 欧阳艳东 , 刘骥 , 吴永俊

功能材料与器件学报

Al薄膜作为钼/铝/钼三层金属桥的中间层,在电容式触摸屏中起到ITO图形搭桥的作用.金属Al在可见光范围内具有较高的反射率,导致在电容屏上有金属桥的部分反射率大于周边没有金属桥的部分,影响屏幕的显示效果.为了减少Al薄膜的反射率,可以采取增大Al薄膜表面粗糙程度的办法,增加漫反射.在不同的直流磁控溅射工艺下制备了表面粗糙度不同的Al薄膜,并分析了引起粗糙度不同的原因.得出了解决金属桥影问题的工艺条件.

关键词: 触摸屏 , 表面粗糙度 , Al薄膜

透明导电薄膜ZnO:Al(ZAO) 的性能及其在有机发光二极管中的应用

曹鸿涛 , 裴志亮 , 孙超

金属学报

研究了ZAO透明导电薄膜的微观组织结构、化学成分及其电学光学特性。结果表明，多晶ZAO薄膜呈柱状晶并具有（002）面择优取向，c轴晶格常数大于0.52000nm;ZAO薄膜不同微区之间的成分不均匀导致了电学性能的不均匀;ZAO薄膜的电阻率和在可见光区的平均透射率分别为1.39×10-4 Ω•cm和80.8%,其透射率和吸收率曲线均具有明显的波动性,该波动性影响以ZAO为阳性的有机发光二极管的发射光谱,在5.38A/m2 电流密度下二极管的发光效率大于2 cd/A.

关键词: ZnO , null , null