张家祥
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王彦强
,
卢凯
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张文余
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王凤涛
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冀新友
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王亮
,
张洁
,
王琪
,
刘琨
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李良杰
,
李京鹏
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173206.0433
本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究.与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,Ioff偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性.增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使Ion和Ioff同时降低;PVX沉积前处理气体N2+NH3与H2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件.
关键词:
沟道界面
,
漏电流
,
Al电极
,
TFT特性
张萌
,
李云娜
,
韩伟
,
张密林
,
薛云
,
王艳力
,
高杨
稀有金属
在843 K LiCl-KCl-CeCl3熔盐中活性铝电极上,研究了Ce(Ⅲ)离子的电化学行为和欠电位沉积Al-Ce合金.对比循环伏安曲线发现,在Al电极上Ce(Ⅲ)/Ce反应的氧化还原电势比在Mo惰性电极上更正;开路计时电位在金属铝和铈的沉积平台之间出现2个平台,这表明Ce(Ⅲ)在Al活性电极上可以生成两种金属间化合物.以上结果在电化学机理上说明Ce(Ⅲ)离子可以在Al电极上欠电位沉积形成金属间化合物.在该实验条件下通过恒电位电解,在Al电极上得到了Al-Ce合金,验证了电化学分析的结果.经XRD表征,证实形成了AlCe和AlCe3两种合金,结合Al-Ce合金相图分析了只产生这两种合金的原因;结合开路电位计算了生成这两种合金的标准吉布斯自由能变值.经SEM和EDS表征,证明了铈在Al电极表面分布,并形成厚度均一约28 μ.m的Al-Ce合金镀层.
关键词:
LiCl-KCl熔盐
,
欠电位沉积
,
铝电极
,
Al-Ce合金
