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唐田 , 张永刚 , 郑燕兰 , 唐雄心 , 李爱珍
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.022
基于理论计算和实验,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究.结果表明,通过对材料中的As组份调节,可以对材料中的应变进行控制,达到良好的应变补偿效果,实验结果和理论计算相当吻合.
关键词: InGaAsSb , AlGaAsSb , 应变
