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MOCVD生长AlN/GaN化学反应路径的量子化学研究

王宝良 , 左然 , 孟素慈 , 陈鹏

人工晶体学报

应用量子化学的密度泛函理论,对MOCVD生长GaN/AlN薄膜的反应路径进行理论计算和分析,特别是针对Ⅲ族TMX(X=Ga,Al)与V族NH3的反应路径与温度的关系进行研究.计算结果表明:当温度T≤473.15 K时,反应自由能△G＜0,TMX与NH3自发生成配位加合物TMX∶ NH3;当T≥573...

关键词: AlN/GaN , MOCVD , 密度泛函理论 , 化学反应路径

极化效应对AlN/GaN共振隧穿二极管电流特性的影响

汤乃云

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.006

本文采用半经验紧束缚能带理论,通过自洽计算薛定谔方程和泊松方程研究了AlN/GaN共振隧穿二极管中极化效应对电流的影响.结果发现,极化效应导致电流曲线发生不对称性,并影响电流的共振电压位置,这与实验报道的结果相一致.并且随着极化电荷的增加,在一定的偏压条件下,只能观测到一个子能级隧穿或者根本没有负微...

关键词: AlN/GaN , 共振隧穿二极管 , 极化 , 负微分电阻

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/37/4/044007

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