赵文济
,
李一睿
,
胡祖光
,
许辉
,
祝新发
,
李戈扬
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2005.05.006
采用Ti-Al镶嵌复合靶在Ar、N2和O2混合气体中反应溅射制备了一系列TiO/AlO和TiN/AlN薄膜,并采用EDS、XRD、TEM、AFM、SEM和微力学探针研究了薄膜的化学成分、微结构和力学性能.结果表明,随氧分压的提高,TiO/AlO和TiN/AlN薄膜中的氧含量逐步增加,氮含量相应减少,...
关键词:
TiO薄膜
,
AlO薄膜
,
TiN薄膜
,
AlN薄膜
,
反应溅射
,
微结构
,
力学性能
席忠红
,
李海翼
低温物理学报
采用直流磁控溅射的方法，分别在Si（111）和玻璃基片上沉积A1N薄膜．利用X射线衍射仪、X射线能谱仪、台阶仪、原子力显微镜、分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪等分析薄膜的结构、组分、膜厚、形貌和光学性能．实验得到的样品为多晶六方相AlN，膜厚为720nm，含有少量的氧杂质．对A1N薄膜的光学性能的研...
关键词:
AlN薄膜
,
磁控溅射
,
光学性能
,
禁带宽度
门传玲
,
徐政
,
安正华
,
张苗
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.001
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜.以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满...
关键词:
AlN薄膜
,
键合
,
SOI
,
离子束增强沉积
朱家俊
,
周灵平
,
刘新胜
,
彭坤
,
李德意
,
李绍禄
人工晶体学报
采用单、双靶反应磁控溅射法分别在45钢、GCr15钢、硅(100)和钼衬底上制备了AlN薄膜.X射线衍射和电子显微分析表明,双靶反应磁控溅射沉积的AlN薄膜具有高致密度和低残余应力,同时采用划痕法和压痕法等对AlN薄膜的粘结强度进行测试, 结果表明:双靶反应磁控溅射共沉积AlN薄膜的粘结强度明显比单...
关键词:
AlN薄膜
,
反应磁控溅射
,
粘结强度
,
共沉积
熊娟
,
顾豪爽
,
胡宽
,
吴小鹏
稀有金属材料与工程
采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜.研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N_2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响.用XRD分析了薄膜的择优取向,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌.实验结果表明,靶基距和溅射气压的减小,衬底温度及溅射功率的升高有...
关键词:
AlN薄膜
,
射频磁控反应溅射
,
c轴择优取向
,
Mo电极
门海泉
,
周灵平
,
刘新胜
,
李德意
,
李绍禄
,
肖汉宁
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.048
采用直流双靶磁控溅射聚焦共沉积技术在Fe衬底上高速率生长AlN薄膜,结果表明,双靶共沉积技术有效地提高了AlN薄膜生长速率,相同工作气压或低N2浓度时双靶磁控溅射沉积速率约为单靶沉积速率的2倍;随着溅射系统内工作气压或N2浓度的升高,薄膜生长速率不断减小;薄膜择优取向与薄膜生长速率相互影响,随着工作...
关键词:
AlN薄膜
,
共沉积
,
生长速率
,
磁控溅射
,
择优取向
姜川
,
周灵平
,
彭坤
,
朱家俊
,
李德意
人工晶体学报
采用脉冲反应磁控溅射方法在Si衬底上沉积了(100)和(002)择优取向的AlN薄膜,随着溅射功率的降低或氢气浓度的增加,放电电压下降,沉积粒子能量降低,薄膜由(002)取向逐渐向(100)取向转变.在溅射气氛中加入氢气后,薄膜中的氧含量降低,表面形貌与表面粗糙度均随着择优取向的改变发生变化.溅射功...
关键词:
AlN薄膜
,
反应磁控溅射
,
择优取向
,
溅射功率
,
氢气浓度
李雪飞
,
谢尚昇
,
何欢
,
符跃春
机械工程材料
采用激光分子束外延技术在Si（111）和Si（100）衬底上制备了AlN薄膜，研究了衬底温度和激光能量对薄膜物相结构和形貌的影响。结果表明：低的激光能量和高的衬底温度有益于薄膜的取向度和表面质量；激光能量为100mJ时，Si（111）衬底上的A1N薄膜呈单一的h-AlN（002）取向，Si（100）...
关键词:
AlN薄膜
,
硅
,
激光分子束外延
,
晶体结构
谢尚晻
,
何欢
,
符跃春
材料导报
脉冲激光沉积法(PLD)以其低温成膜优势被公认为是宽禁带半导体AIN薄膜的优选制备方法.获得高质量的AIN薄膜需要最佳的薄膜/衬底匹配和工艺参数.综述了各种常见异质外延衬底与AlN薄膜的取向关系,分析了影响薄膜质量的工艺因素,介绍了薄膜在电、光、热方面的性能研究现状,并指出了今后工作的方向.
关键词:
脉冲激光沉积
,
AlN薄膜
,
衬底
,
工艺参数
,
性能
黄美东
,
董闯
,
宫骏
,
卢春燕
,
孙超
,
黄荣芳
,
闻立时
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.06.016
在不同基体负偏压作用下,用阴极电弧离子镀等离子体物理气相沉积(PVD)方法在单晶Si(100)基片上获得六方晶系的晶态AlN薄膜用X射线衍射仪分析了沉积膜的物相组成和晶格位向随偏压的变化,在扫描电子显微镜(SEM)下观察沉积膜的显微组织形貌.结果表明,在较小偏压下,AlN膜呈(002)择优取向,表面...
关键词:
偏压
,
阴极电弧离子镀
,
物理气相沉积
,
AlN薄膜
