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氢气对AlN薄膜择优取向的作用机制

姜川 , 周灵平 , 彭坤 , 朱家俊 , 李德意

人工晶体学报

采用脉冲反应磁控溅射方法在Si衬底上沉积了(100)和(002)择优取向的AlN薄膜,随着溅射功率的降低或氢气浓度的增加,放电电压下降,沉积粒子能量降低,薄膜由(002)取向逐渐向(100)取向转变.在溅射气氛中加入氢气后,薄膜中的氧含量降低,表面形貌与表面粗糙度均随着择优取向的改变发生变化.溅射功率及氢气浓度对AlN薄膜择优取向的影响规律表明,氢气主要是通过降低沉积粒子的能量和在衬底表面产生吸附两种作用方式来影响AlN薄膜的择优取向.

关键词: AlN薄膜 , 反应磁控溅射 , 择优取向 , 溅射功率 , 氢气浓度

Si（111）和Si（100）衬底上AlN薄膜的激光分子束外延生长特征

李雪飞 , 谢尚昇 , 何欢 , 符跃春

机械工程材料

采用激光分子束外延技术在Si（111）和Si（100）衬底上制备了AlN薄膜，研究了衬底温度和激光能量对薄膜物相结构和形貌的影响。结果表明：低的激光能量和高的衬底温度有益于薄膜的取向度和表面质量；激光能量为100mJ时，Si（111）衬底上的A1N薄膜呈单一的h-AlN（002）取向，Si（100）衬底上的薄膜在600℃时出现小的h-AlN（100）衍射峰，在700℃时呈微弱的h-AlN（002）取向；在Si（111）衬底上更易生长出取向度高的AlN薄膜。

关键词: AlN薄膜 , 硅 , 激光分子束外延 , 晶体结构

稀有金属（英文版） doi:10.1007/s12598-016-0703-x

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稀有金属（英文版） doi:10.1007/s12598-015-0506-5

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