黄琨
,
范广涵
,
刘颂豪
,
李述体
,
郭志友
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.05.026
氮基四元Ⅲ-Ⅴ族化合物可用于高亮度蓝光LED和高温、大功率及高频电子器件.可以通过改变AlxGayIn1-x-yN组分的大小,得到在与衬底晶格匹配的情况下不同的材料禁带宽度,但是由于在给定组分下AlGaInN难以稳定生长.所以应用价力场模型(VFF)研究它的热动力稳定性,得出了AlGaInN不稳定的二相区间,并且定量讨论两种组分确定的AlGaInN合金的富In区与温度的关系.希望对生长高质量AlGaInN材料起到参考作用.
关键词:
光电子学
,
相分离
,
价力场
,
AlxGayIn1-x-yN
,
LED
