周海月
,
赵振
,
郭祥
,
魏文喆
,
王一
,
黄梦雅
,
罗子江
,
丁召
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.013
通过扫描隧道显微镜(STM)以及反射式高能电子衍射(RHEED)对在不同As4等效束流压强(As4BEP)下生长的In0.53 Ga0.47 As薄膜表面重构进行研究.研究发现在两种As4 BEP条件下,样品表面重构都以(4×3)/(n×3)为主,并存在c(6×4)、β2(2×4)以及α2(2×4)...
关键词:
STM
,
In0.53Ga0.47As薄膜
,
As4BEP
,
表面重构
