王玉乾王兵孟祥钦甘孔银
材料研究学报
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术, 利用氩气、甲烷、二氧化碳混合气体, 制备出平均晶粒尺寸在7.480 nm左右、表面粗糙度在15.72 nm左右的高质量的超纳米金刚石薄膜; 在此工艺基础上以硼烷作为掺杂气体, 合成掺硼的金刚石薄膜. 表征结果显示在一定的浓度范围内随着硼烷气体的通入, 金刚石薄膜的晶粒尺寸及表面粗糙度增大、结晶性变好, 不再具有超纳米金刚石膜的显微结构和表面形态; 同时膜材的物相组成也发生改变, 金刚石组份逐渐增多, 并且膜层内出现了更明显的应力以及更好的导电性能.
关键词:
无机非金属材料
,
B-doping
,
ultrananocrystalline diamond film
,
CVD
任兆刚
,
瞿美臻
,
于作龙
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00230
以柠檬酸为螯合剂和碳源,采用溶胶-凝胶法合成了B在P位掺杂的LiFeP_(0.95)B_(0.05)O_(4-δ)/C复合材料.通过XRD、CV、恒流充放电测试等手段对晶体结构和电化学性能进行研究.结果表明,复合材料具有单一的橄榄石型晶体结构,B在P位掺杂可提高材料的导电性能,降低电极极化,能有效改善材料的循环性能和高倍率性能.650℃下合成的LiFeP_(0.95)B_(0.05)O_(4-δ)/C复合材料在0.2、5、10C的首次放电比容量分别为149.3、123.4和112.1mAh/g,其容量保持率分别为99.3%(0.2C,20次)、91.65%(5C,150次)和92.9%(10C,150次),不同倍率下持续充放电30次后,0.2C放电容量仍能恢复至初始值.
关键词:
锂离子电池
,
正极材料
,
磷酸铁锂
,
硼掺杂
郭宇坤
,
周玉荣
,
陈瑱怡
,
马宁
,
刘丰珍
人工晶体学报
采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术在低温条件下(100℃)制备超薄(～30 nm)的硼掺杂硅薄膜.系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响.当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;同时,薄膜的缺陷密度增加、霍尔迁移率降低.实验证实,当RH=55～70时,超薄硅薄膜开始晶化,这是薄膜由非晶到纳米晶的转化区.快速热退火工艺进一步提高了薄膜导电率.在RH=115、衬底温度为100℃沉积条件下,经过420℃、80 s退火,获得电导率为6.88 S/cm的超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜.
关键词:
热丝化学气相沉积
,
硅薄膜
,
硼掺杂
,
电学性能
