周焕福
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黄金亮
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王茹玉
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李谦
,
黄清伟
功能材料
研究了Bi4Ti3O12掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)陶瓷烧结特性、相结构和介电性能的影响.采用传统的固相反应法制备样品,X射线衍射技术分析相结构,SEM观察表面形貌.结果表明,Bi4Ti3O12掺杂能有效地促进烧结,提高介电常数ε,降低介电损耗tgδ,优化介电频率温度系数αε.1000℃烧结8%(摩尔分数) Bi4Ti3O12掺杂的BZN陶瓷具有较好的介电性能:ε=192,tgδ= 4.21×10-4,αε=-3.37×10-4/℃.
关键词:
BZN陶瓷
,
Bi4Ti3O12掺杂
,
烧结特性
,
显微结构
,
介电性能
张效华
,
辛凤
,
胡跃辉
,
杨丰
,
陈义川
人工晶体学报
以立方焦绿石Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)为配方基础,通过掺入过量10％的Bi2O3,形成Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225非化学计量比分子式.采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225陶瓷,并采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片上制备其薄膜.对比研究了非化学计量比Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7.225陶瓷和薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的差异.结果表明烧结的Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225陶瓷和沉积的BZN薄膜都保持立方焦绿石单相结构,但是薄膜展现出较强的(222)晶面择优取向.陶瓷和薄膜的晶格常数,微观形貌都体现出差异.对比二者的介电特性后发现,Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225薄膜的介电常数明显高于陶瓷的介电常数,这归因于薄膜和块体材料之间的差异,例如厚度,致密度,择优取向等.
关键词:
BZN陶瓷
,
BZN薄膜
,
介电性能
刘璞凌
,
丁士华
,
杨同青
,
沈波
,
姚熹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.016
研究了A位La3+替代对Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)陶瓷结构和介电性能的影响.当La替代量x＜0.5时,陶瓷相结构为单一的立方焦绿石相.随着La替代量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸和密度逐渐减小.低温下的介电弛豫现象随着La替代量的增加也发生有规律的变化,介电常数逐渐减小,弛豫峰峰形逐渐宽化,峰值温度向低温方向移动.与La替代量为0.1、0.15、0.3和0.5相对应的弛豫峰的峰值温度分别为-95 ℃、-99 ℃、-109 ℃和-112 ℃.
关键词:
BZN陶瓷
,
立方焦绿石相
,
介电弛豫
